分类:
MOS管(412)
封装:
TO-220(7)
MLP-6(1)
SOIC-8(21)
TO-220-3(79)
TO-92-3(3)
SO-8(2)
DPAK(4)
TO-251-3(21)
TO-3(1)
SC-89-6(1)
TO-263(1)
TSSOP-8(4)
TO-252-3(63)
WDFN-12(1)
F1 Module(1)
Power-33-8(6)
TO-247-3(10)
Power-56-8(13)
TO-262-3(14)
TO-3-3(18)
IPAK(1)
TO-261-4(4)
SOT-23(1)
SOT-23-3(9)
SSOT-8(2)
SSOT-6(3)
TO-263-3(49)
Power-56(1)
(3)
3(1)
SC-94(3)
TO-252(3)
D2PAK(1)
SOIC(8)
WLCSP-4(1)
PowerTDFN-8(1)
SSOT(1)
Through Hole(1)
SOT(1)
TSOT-23-6(15)
MicroFET-6(2)
TO-247(1)
SO(1)
WFBGA-18(1)
H-PSOF-8(2)
MO-299A-8(1)
SuperSOT(1)
WDFN-6(3)
SC-70-6(1)
SC-70(1)
DualCool-56-8(1)
PowerWDFN-8(2)
TO-220F-3(1)
SMD-8(2)
WFBGA-12(1)
SOT-323-3(1)
SOP-8(1)
SOT-223-4(2)
PowerWDFN-12(1)
uDFN-6(1)
PQFN-8(1)
6LD, SUPERSOT6, JEDEC MO-193, 1.6MM WIDE(1)
TO-263-7(1)
TO-247-4(1)
SOT-223(1)
多选
包装:
(34)
Tape & Reel (TR)(183)
Cut Tape (CT)(9)
Tube(143)
Tape(25)
Bulk(5)
Tray(1)
Tape & Box (TB)(1)
Tube, Rail(2)
Rail(2)
Rail, Tube(7)
多选
型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 品类: MOS管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N05LSM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 5 V, 2 V
    8621
    5-24
    5.4270
    25-49
    5.0250
    50-99
    4.7436
    100-499
    4.6230
    500-2499
    4.5426
    2500-4999
    4.4421
    5000-9999
    4.4019
    ≥10000
    4.3416
  • 品类: MOS管
    描述: N沟道MOSFET QFET 600V , 0.2 A , 11.5欧姆 N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
    8173
    5-24
    3.3615
    25-49
    3.1125
    50-99
    2.9382
    100-499
    2.8635
    500-2499
    2.8137
    2500-4999
    2.7515
    5000-9999
    2.7266
    ≥10000
    2.6892
  • 品类: MOS管
    描述: N沟道MOSFET QFET® 900 V, 11.4 , 960英里© N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 mΩ
    5839
    5-49
    13.9113
    50-199
    13.3168
    200-499
    12.9839
    500-999
    12.9007
    1000-2499
    12.8174
    2500-4999
    12.7223
    5000-7499
    12.6629
    ≥7500
    12.6034
  • 品类: MOS管
    描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    6136
    5-24
    1.5120
    25-49
    1.4000
    50-99
    1.3216
    100-499
    1.2880
    500-2499
    1.2656
    2500-4999
    1.2376
    5000-9999
    1.2264
    ≥10000
    1.2096
  • 品类: MOS管
    描述: Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4Pin(4+Tab) TO-247 Tube
    1882
    1-9
    123.8780
    10-49
    120.6464
    50-99
    118.1688
    100-199
    117.3071
    200-499
    116.6608
    500-999
    115.7990
    1000-1999
    115.2604
    ≥2000
    114.7218
  • 品类: MOS管
    描述: MOSFET N-CH 150V 130A
    2517
    5-49
    27.0504
    50-199
    25.8944
    200-499
    25.2470
    500-999
    25.0852
    1000-2499
    24.9234
    2500-4999
    24.7384
    5000-7499
    24.6228
    ≥7500
    24.5072
  • 封装: 6LD, SUPERSOT6, JEDEC MO-193, 1.6MM WIDE
    品类: MOS管
    描述: FDC5661N-F085
    7404
    20-49
    0.0000
    50-99
    0.0000
    100-299
    0.0000
    300-499
    0.0000
    500-999
    0.0000
    1000-4999
    0.0000
    5000-9999
    0.0000
    ≥10000
    0.0000
  • 品类: MOS管
    描述: 56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
    4200
    10-99
    8.2920
    100-499
    7.8774
    500-999
    7.6010
    1000-1999
    7.5872
    2000-4999
    7.5319
    5000-7499
    7.4628
    7500-9999
    7.4075
    ≥10000
    7.3799
  • 品类: MOS管
    描述: Trans MOSFET N-CH 30V 55A 8Pin Power 56 EP T/R
    4640
    5-49
    13.8996
    50-199
    13.3056
    200-499
    12.9730
    500-999
    12.8898
    1000-2499
    12.8066
    2500-4999
    12.7116
    5000-7499
    12.6522
    ≥7500
    12.5928
  • 品类: MOS管
    描述: Trans MOSFET N-CH 150V 15A 8Pin QFN EP T/R
    2681
    5-49
    22.2768
    50-199
    21.3248
    200-499
    20.7917
    500-999
    20.6584
    1000-2499
    20.5251
    2500-4999
    20.3728
    5000-7499
    20.2776
    ≥7500
    20.1824
  • 品类: MOS管
    描述: Trans MOSFET N-CH 100V 210A 9Pin(8+Tab) TO-LL T/R
    7054
    5-49
    19.6443
    50-199
    18.8048
    200-499
    18.3347
    500-999
    18.2172
    1000-2499
    18.0996
    2500-4999
    17.9653
    5000-7499
    17.8814
    ≥7500
    17.7974
  • 品类: MOS管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD12N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 0.22 ohm, 10 V, 2 V
    6474
    5-24
    4.6980
    25-49
    4.3500
    50-99
    4.1064
    100-499
    4.0020
    500-2499
    3.9324
    2500-4999
    3.8454
    5000-9999
    3.8106
    ≥10000
    3.7584
  • 品类: MOS管
    描述: UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    5850
    10-99
    8.7120
    100-499
    8.2764
    500-999
    7.9860
    1000-1999
    7.9715
    2000-4999
    7.9134
    5000-7499
    7.8408
    7500-9999
    7.7827
    ≥10000
    7.7537
  • 品类: MOS管
    描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor
    6086
    10-99
    8.9400
    100-499
    8.4930
    500-999
    8.1950
    1000-1999
    8.1801
    2000-4999
    8.1205
    5000-7499
    8.0460
    7500-9999
    7.9864
    ≥10000
    7.9566
  • 品类: MOS管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA6023PZT 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.6 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -500 mV
    1691
    5-24
    2.6325
    25-49
    2.4375
    50-99
    2.3010
    100-499
    2.2425
    500-2499
    2.2035
    2500-4999
    2.1548
    5000-9999
    2.1353
    ≥10000
    2.1060
  • 品类: MOS管
    描述: UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    5201
  • 品类: MOS管
    描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    4561
    5-49
    11.8872
    50-199
    11.3792
    200-499
    11.0947
    500-999
    11.0236
    1000-2499
    10.9525
    2500-4999
    10.8712
    5000-7499
    10.8204
    ≥7500
    10.7696
  • 品类: MOS管
    描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    9716
    5-49
    13.0572
    50-199
    12.4992
    200-499
    12.1867
    500-999
    12.1086
    1000-2499
    12.0305
    2500-4999
    11.9412
    5000-7499
    11.8854
    ≥7500
    11.8296
  • 品类: MOS管
    描述: SupreMOS® MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。
    6188
    5-49
    26.3601
    50-199
    25.2336
    200-499
    24.6028
    500-999
    24.4451
    1000-2499
    24.2873
    2500-4999
    24.1071
    5000-7499
    23.9945
    ≥7500
    23.8818
  • 品类: MOS管
    描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    2151
    5-49
    24.5934
    50-199
    23.5424
    200-499
    22.9538
    500-999
    22.8067
    1000-2499
    22.6596
    2500-4999
    22.4914
    5000-7499
    22.3863
    ≥7500
    22.2812
  • 品类: MOS管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V
    6912
    5-24
    4.5225
    25-49
    4.1875
    50-99
    3.9530
    100-499
    3.8525
    500-2499
    3.7855
    2500-4999
    3.7018
    5000-9999
    3.6683
    ≥10000
    3.6180
  • 品类: MOS管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRFM120ATF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V
    2920
    10-99
    8.7480
    100-499
    8.3106
    500-999
    8.0190
    1000-1999
    8.0044
    2000-4999
    7.9461
    5000-7499
    7.8732
    7500-9999
    7.8149
    ≥10000
    7.7857
  • 品类: MOS管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75652G3.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247
    6440
    1-9
    120.1060
    10-49
    116.9728
    50-99
    114.5707
    100-199
    113.7352
    200-499
    113.1085
    500-999
    112.2730
    1000-1999
    111.7508
    ≥2000
    111.2286
  • 品类: MOS管
    描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
    6811
  • 品类: MOS管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V
    1847
    10-99
    8.7120
    100-499
    8.2764
    500-999
    7.9860
    1000-1999
    7.9715
    2000-4999
    7.9134
    5000-7499
    7.8408
    7500-9999
    7.7827
    ≥10000
    7.7537
  • 品类: MOS管
    描述: QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    8169
    5-24
    5.3460
    25-49
    4.9500
    50-99
    4.6728
    100-499
    4.5540
    500-2499
    4.4748
    2500-4999
    4.3758
    5000-9999
    4.3362
    ≥10000
    4.2768
  • 品类: MOS管
    描述: Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    1088
    5-24
    6.4125
    25-49
    5.9375
    50-99
    5.6050
    100-499
    5.4625
    500-2499
    5.3675
    2500-4999
    5.2488
    5000-9999
    5.2013
    ≥10000
    5.1300
  • 品类: MOS管
    描述: UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
    4157
    5-24
    5.8590
    25-49
    5.4250
    50-99
    5.1212
    100-499
    4.9910
    500-2499
    4.9042
    2500-4999
    4.7957
    5000-9999
    4.7523
    ≥10000
    4.6872
  • 品类: MOS管
    描述: Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8Pin Power 56 EP T/R
    5851
    5-24
    5.9940
    25-49
    5.5500
    50-99
    5.2392
    100-499
    5.1060
    500-2499
    5.0172
    2500-4999
    4.9062
    5000-9999
    4.8618
    ≥10000
    4.7952
  • 品类: MOS管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 V
    6916
    5-24
    6.5745
    25-49
    6.0875
    50-99
    5.7466
    100-499
    5.6005
    500-2499
    5.5031
    2500-4999
    5.3814
    5000-9999
    5.3327
    ≥10000
    5.2596

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